3V陞壓9V1A，3V陞壓12V1A芯片，可調限流，低功耗

3V陞壓9V1A，3V陞壓12V1A陞壓芯片。寬輸入電壓到12V，最高輸齣電壓13V，低功耗，可調限流（輸入端），高效率陞壓IC。

      PL7512 是一顆電流控製模式陞壓轉化器，脈波寬度調變(PWM)， 內置 15mΩ/10A/14VMOSFET， 能做大功率高轉換效率， 週邊元件少節省空間， 適閤用在行動裝置，寬工作電壓2.7V~12V， 單節與雙節鋰電池都能使用， 精準反饋電壓 1.2V(±2%)， 過電流保護通過外部電阻調整， 電流控製模式讓暫態響應與繫統穩定性佳， 輕載進入省電模式(Skip Mode)， 達到輕載高效率，封裝爲 SOP-8L(EP)。

特性
➢ 工作電壓範圍 2.7V~12V
➢ 可調輸齣電壓最高 13V
➢ 固定工作頻率 400kHz
➢ VFB 反饋電壓1.2V(±2%)
➢ 內置 15mΩ,10A,14V MOSFET
➢ 關機耗電流最大1μA
➢ 過溫保護 150℃
➢ 內置軟啟動
➢ 可調過電流保護 2A~10A
➢ 封裝 SOP-8L(EP)

應用範圍
➢ 快充移動電源
➢ 藍牙音箱
➢ 手持式産品
➢ 充電器
➢ 電子煙

應用元件
➢ C1,C2,C5,C6,C8：輸入與輸齣穩壓濾波電容。
➢ C9：HVDD 濾波電容。
➢ C3：HVDD 經過內部穩壓管到 Vcc 産生 5V，此電壓會提供內部電路與驅動 MOS，需要加
穩壓電容。
➢ C4,C10,R4：繫統補償迴路元件，關繫到 LX 方波穩定度與暫態響應速度。
➢ R1,R2：FB 分壓電阻，決定輸齣電壓，R1 使用300kΩ~500kΩ。
➢ R3：改變阻值，調整過電流保護點。
➢ R10：EN 到輸入上拉電阻，控製 EN 下拉地，開關 IC。
➢ Rout：HVDD 限流電阻，避免輸齣電壓過高，擊傷 IC。
➢ C12,R8：突波吸收元件，降低 LX 開關切換突波。
➢ L1：電感具有儲能與濾波功用，感值越大電流漣波越小，相對感值越小漣波越大。選用電感
註意電感是否適閤高頻操作，及電感額定飽和電流值。
➢ D1：當 LX 截止時，D1 肖特基管導通，提供電感放電迴路

功能説明

軟起動
IC 內置軟起動功能，開機利用軟啟動限製 PWM 佔空比，讓佔空比慢慢打開，避免瞬間輸入湧浪電流過大。

EN 開關控製
EN 小於 0.6V 將 IC 關閉，關機 HVDD 最大耗電流 1ìA，EN 大於 1.1V 啟動 IC；輸入電壓大於 5V，在輸入與 EN 之間接 200kΩ。

過電流保護(OCP)
檢測通過 LX 與 GND 之間 MOS 電流，也就是電感峰值電流，觸髮過電流會將佔空比縮小，限製電感電流，輸齣電壓也會降低；當佔空比 50%以上觸髮 OCP，爲瞭讓 PWM 穩定方波，IC內部做斜率補償，佔空比越大 OCP 會降低，透過外部電阻 R3 調整 OCP，R3 選用蔘考以下圖錶，電阻值 150kΩ~51kΩ，OCP 2A~10A，OC Pin 不能空接。

過溫保護
IC 內部晶片溫度達到 150℃，降內部 MOS 關閉保護晶片，等溫度降低到 130℃再打開。

輸入低電壓應用
輸入電壓低於 4.5V，像是單節鋰電池，將 HVDD Pin 接到輸齣端，提高 Vcc=5V 降低 MOS 阻抗，提陞轉換效率；輸入電壓高於 4.5V，HVDD 接到輸入端。