深圳市百盛新纪元半导体有限公司
十一年优秀供应商

深圳市百盛新纪元半导体有限公司 (简称:百盛新纪元半导体)  始创于2006年,  注册资金100万。 是一家专业生产销售和提供配套服务的综合性公司,公司拥有强大的技术支持和完善的售后服务。一度被评为【深圳市优秀半导体供应商】【工厂优质配套服务商】.


   我们公司销售代理台湾天钰,台湾远翔,纳芯威等品牌电源芯片,始终如一坚守销售电源行业及其周边相关IC:AC-DC,DC-DC,MOS,LDO等。



双节锂电池串联保护芯片IC解决方案-PL7022

双节锂电池串联保护芯片IC解决方案-PL7022

双节锂电池串联管理系列选型表

型号

封装

功能

PL7022B

SOT23-6

双节4.2V锂电池串联保护电路

PL7022

SOT23-6

双节4.35V锂电池串联保护电路

PL7501C

ESOP8

升压型双节锂电池串联充电电路(VIN:5V

PL7222

ESOP8

降压型双节锂电池串联充电电路(VIN:9V

  • 数量
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PL7022/B 是一款基于 CMOS 的双节可充电锂电池保护电路,它集高精度过电压充电保护、过电压放电保
护、过电流充电保护、过电流放电保护、电池短路保护等性能于一身。
正常状态下, PL7022/B 由电池供电。当两节电池电压(VBATU/VBATD)都在过电压充电保护阈值(VOCU/D)和
过电压放电保护阈值(VODU/D)之间,且其 VM 检测端电压在过电流充电保护阈值(VECI)和过电流放电保护阈值
(VEDI)之间,此时 PL7022/B 的 COUT 端和 DOUT 端都输出高电平,分别使外接充电控制 N-MOSFET 管 Q1 和
放电控制 N-MOSFET 管 Q2 导通。这时,既可以使用充电器对电池充电,也可以通过负载使电池放电。
PL7022/B 通过检测两个电池电压来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时, COUT/DOUT 由高电平变
为低电平,使 Q1/Q2 由导通变为截止,从而充/放电过程停止。 PL7022/B 对每种保护状态都有相应的恢复条件,
当恢复条件满足以后, COUT/DOUT 由低电平变为高电平, 使 Q1/Q2 由截止变为导通,从而进入正常状态。
PL7022/B 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间,只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后,
才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除,则不进入保护/恢复状态。
当 VM 小于-5V, VDD 从 0V 升高至正常值时,芯片将进入快速检测模式,缩短延迟时间,并禁止过电流充电保护
功能。过电压充电检测和过电压放电检测延迟时间会缩短到将近 1ms,这能有效地缩短保护电路 PCB 的检测时间。
当 VM 升高至 0V 以上时,芯片将退出快速检测模式。
特点:
两节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路
高精度的保护电压(过充/过放)检测
高精度过电流充电/放电保护检测
低供电电流
⚫ 在低功耗模式,不接充电器情况下,可自动恢复状态
电池短路保护
可选择多种型号的检测电压和延迟时间
缩短延迟时间测试功能
0V 电池充电功能
极少的外围元器件
超小型化的 SOT23-6 封装
应用:
两节锂电池的充电、放电保护电路
电话机电池或其它两节锂电池高精度保护 


产品目录:

 

过电压充电保护阈值 VOCUTYP/VOCDTYP

过电压充电恢复阈值 VOCRUTYP/ VOCRDTYP

过电压放电保护阈值 VODUTYP/ VODDTYP

过电压放电恢复阈值 VODRUTYP/ VODRDTYP

过电流放电保护阈值 VEDITYP

过电流充电保护阈值 VECITYP

过电压充电保护延迟时间 tOCTYP

过电压放电保护延迟时间 tODTYP

过电流放电保护延迟时间 tEDITYP

过电流充电保护延迟时间 tECITYP

0V

PL7022

4.350V

4.150V

2.300V

3.000V

0.200V

-0.200V

1s

128ms

12ms

8ms

精度范围

±25mV

±50mV

±80mV

±100mV

±30mV

±30mV

±30%

±30%

±30%

±30%

PL7022B

4.250V

4.050V

2.400V

3.000V

0.200V

-0.200V

1s

128ms

12ms

8ms

精度范围

±25mV

±50mV

±80mV

±100mV

±30mV

±30mV

±30%

±30%

±30%

±30%


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