十一年优秀供应商

深圳市百盛新纪元半导体有限公司,自成立以来,始终坚守诚信为本的原则,专注于半导体领域的技术创新与服务提升。我们专注于DC-DC升压转换芯片、降压转换芯片、MOS场效应管、LDO稳压芯片、锂电池充电管理芯片、锂电池保护系统芯片、过压过流保护芯片、电压检测芯片的研发与销售,凭借多年的半导体销售从业经验和公司经验丰富的FAE团队,我们为客户提供优质的产品和全方位的服务。
我们的产品广泛应用于智能机器人、无线充、移动电源、无人机、安防监控、车载导航、行车记录、暖手宝、补水仪、玩具等领域,以卓越的性能和稳定的品质赢得了客户的广泛赞誉。无论是产品的性能还是服务的质量,我们都力求做到最好,以满足客户不断变化的需求。
百盛新纪元秉持仓储式的经营理念,以诚信、感恩、服务为宗旨,致力于为客户提供多元化、全方位的优质服务。我们深知,只有真正站在客户的角度思考问题,才能赢得客户的信赖和支持。因此,我们始终坚持用心服务,用心倾听,用心满足客户的每一个需求。


EG27517:双输入设计,高速低侧栅极驱动器,峰值4A驱动能力
EG27517:双输入设计,高速低侧栅极驱动器,峰值4A驱动能力
EG27517:双输入设计,高速低侧栅极驱动器,峰值4A驱动能力
EG27517:双输入设计,高速低侧栅极驱动器,峰值4A驱动能力

EG27517:双输入设计,高速低侧栅极驱动器,峰值4A驱动能力

  • 库存100000 PCS
  • 品牌EGMICRO EG27517
  • 数量
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芯片描述

EG27517单通道高速低侧栅极驱动器,可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG27517的电源电压范围宽4V~20V,静态功耗小。该芯片双输入设计(可选择反相IN- 或正相IN+驱动器配置)当 VDD = 12V 时,EG27517 可提供峰值为 4A 的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力;采用SOT23-5封装。


芯片特点

    • 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品

    • VDD电压范围4V-20V

    • 输出电流能力IO+/- 4A/4A

    • 输入输出延时短

    • 当输入引脚悬空时,输出保持在低电平

    • 外围器件少

    • 静态电流小,非常适合电池场合

    • 封装形式:SOT23-5

    • 无铅绿色环保,符合ROHS报告。


  • 应用领域

      • 开关模式电源

      • 直流-直流转换器

      • 数字电源栅极驱动器件

      • 太阳能、不间断电源 (UPS)

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    郑晓晓

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