3V升压9V1A，3V升压12V1A芯片，可调限流，低功耗

3V升压9V1A，3V升压12V1A升压芯片。宽输入电压到12V，最高输出电压13V，低功耗，可调限流（输入端），高效率升压IC。

      PL7512 是一颗电流控制模式升压转化器，脉波宽度调变(PWM)， 內置 15mΩ/10A/14VMOSFET， 能做大功率高转换效率， 周边元件少节省空间， 适合用在行动装置，宽工作电压2.7V~12V， 单节与双节锂电池都能使用， 精准反馈电压 1.2V(±2%)， 过电流保护通过外部电阻调整， 电流控制模式让暂态响应与系统稳定性佳， 轻载进入省电模式(Skip Mode)， 达到轻载高效率，封装为 SOP-8L(EP)。

特性
➢ 工作电压范围 2.7V~12V
➢ 可调输出电压最高 13V
➢ 固定工作频率 400kHz
➢ VFB 反馈电压1.2V(±2%)
➢ 內置 15mΩ,10A,14V MOSFET
➢ 关机耗电流最大1μA
➢ 过温保护 150℃
➢ 內置软启动
➢ 可调过电流保护 2A~10A
➢ 封装 SOP-8L(EP)

应用范围
➢ 快充移动电源
➢ 蓝牙音箱
➢ 手持式产品
➢ 充电器
➢ 电子烟

应用元件
➢ C1,C2,C5,C6,C8：输入与输出稳压滤波电容。
➢ C9：HVDD 滤波电容。
➢ C3：HVDD 经过內部稳压管到 Vcc 产生 5V，此电压会提供內部电路与驱动 MOS，需要加
稳压电容。
➢ C4,C10,R4：系统补偿回路元件，关系到 LX 方波稳定度与暂态响应速度。
➢ R1,R2：FB 分压电阻，決定输出电压，R1 使用300kΩ~500kΩ。
➢ R3：改变阻值，调整过电流保护点。
➢ R10：EN 到输入上拉电阻，控制 EN 下拉地，开关 IC。
➢ Rout：HVDD 限流电阻，避免输出电压过高，击伤 IC。
➢ C12,R8：突波吸收元件，降低 LX 开关切换突波。
➢ L1：电感具有储能与滤波功用，感值越大电流涟波越小，相对感值越小涟波越大。选用电感
注意电感是否适合高频操作，及电感额定饱和电流值。
➢ D1：当 LX 截止时，D1 肖特基管导通，提供电感放电回路

功能说明

软起动
IC 內置软起动功能，开机利用软启动限制 PWM 占空比，让占空比慢慢打开，避免瞬间输入涌浪电流过大。

EN 开关控制
EN 小于 0.6V 将 IC 关闭，关机 HVDD 最大耗电流 1ìA，EN 大于 1.1V 启动 IC；输入电压大于 5V，在输入与 EN 之间接 200kΩ。

过电流保护(OCP)
检测通过 LX 与 GND 之间 MOS 电流，也就是电感峰值电流，触发过电流会将占空比缩小，限制电感电流，输出电压也会降低；当占空比 50%以上触发 OCP，为了让 PWM 稳定方波，IC內部做斜率补偿，占空比越大 OCP 会降低，透过外部电阻 R3 调整 OCP，R3 选用参考以下图表，电阻值 150kΩ~51kΩ，OCP 2A~10A，OC Pin 不能空接。

过温保护
IC 內部晶片温度达到 150℃，降內部 MOS 关闭保护晶片，等温度降低到 130℃再打开。

输入低电压应用
输入电压低于 4.5V，像是单节锂电池，将 HVDD Pin 接到输出端，提高 Vcc=5V 降低 MOS 阻抗，提升转换效率；输入电压高于 4.5V，HVDD 接到输入端。