| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 峰值灌电流 | 4A | |
| 峰值拉电流 | 4A | |
| 电源电压 | 4.5V~15V | |
| 上升时间 | 20ns | |
| 下降时间 | 15ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
驱动配置：低压侧
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5 V ~ 15 V
逻辑电压?- VIL，VIH：1V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：4A，4A
输入类型：非反相
上升/下降时间（典型值）：20ns，15ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC